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Infineon Technologies 英飞凌

Infineon

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描述： MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
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替代：
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电流 - 连续漏极(id)：280mA（Ta）
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功率 - 最大值：500mW（Ta）
丝印：(请登录)
外壳：
封装：PG-SOT323-3
料号：JTG8-724
包装：
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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功率 - 最大值：±20V
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT23
料号：JTG8-725
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丝印：(请登录)
外壳：
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料号：JTG8-727
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT23-3
料号：JTG8-731
包装：
参考价格:￥0.429400
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描述： MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
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漏源极电压（vdss）：20V
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丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23-3
料号：JTG8-732
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG8-733
包装：
参考价格:￥0.429400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：PG-TSOP-6-6
料号：JTG8-739
包装：
参考价格:￥0.429400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 26µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:- 技术:- *漏源极电压（vdss）:- *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V，10V 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V，10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±20V *fet 功能:±20V *功率 - 最大值:±20V 工作温度:±20V 安装类型:±20V *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.75V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20.9pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.75V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 2.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:529pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11 欧姆 @ 140mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:109pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 欧姆 @ 360mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 170µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):2.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:150 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 218µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13.1nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):620mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:800 毫欧 @ 620mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 160µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:176pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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丝印：
外壳：
封装：PG-SC-59
料号：JTG8-740
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参考价格:￥0.429400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
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漏源极电压（vdss）：240V
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT223-4
料号：JTG8-742
包装：
参考价格:￥0.429400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 26µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:- 技术:- *漏源极电压（vdss）:- *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V，10V 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V，10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±20V *fet 功能:±20V *功率 - 最大值:±20V 工作温度:±20V 安装类型:±20V *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.75V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
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丝印：(请登录)
外壳：
封装：PG-SC-59
料号：JTG8-743
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 26µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:- 技术:- *漏源极电压（vdss）:- *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V，10V 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V，10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±20V *fet 功能:±20V *功率 - 最大值:±20V 工作温度:±20V 安装类型:±20V *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.75V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 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料号：JTG8-744
包装：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
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丝印：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
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